IGBT-модуль SKM100GB12T4
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT является трехтерминальным силовым полупроводниковым устройством, отличающимся высокой эффективностью и быстрым переключением. IGBT сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов высокой скорости коммутации и способности проводить большие токи.
Производитель: Semikron
94 x 34 x 30.1mm
5 000 руб.
SEMIKRON предлагает IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT является трехтерминальным силовым полупроводниковым устройством, отличающимся высокой эффективностью и быстрым переключением. IGBT сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов высокой скорости коммутации и способности проводить большие токи.
Характеристики:
|
Канал |
N |
|
Конфигурация |
Двойная |
|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттера |
1200 V |
|
Рабочий ток коллектора |
100 A |
|
Максимальное напряжение эмиттера |
±20V
|
|
Тип монтажа |
Винтовой |
|
Тип упаковки |
SEMITRANS®2 |
Рекомендуемые товары
UR66.TOP